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快科技2月27日讯，据国外媒体最新报道，三星将于今年下半年开始采用中国存储专利技术生产相关芯片。
近期，三星电子已与中国存储芯片制造商长江存储签订了专利许可协议，用于开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术。
消息人士透露，三星计划于2025年下半年量产下一代V10 NAND，届时将运用长江存储的专利技术，尤其是在“混合键合”技术方面。
三星选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要是因为长江存储在该技术领域处于全球领先地位。经过评估，三星认为从下一代V10 NAND起，已无法避开长江存储专利的影响。
这对中国存储行业而言，无疑是令人振奋的消息，从曾经的落后到如今实现赶超，这也侧面彰显了中国科技自主创新的成果。
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